작성일: 2014/03/14, 18:56:59
작성자: icthdi3  

삼성전자가 20nm 공정의 4Gbit DDR3 디램을 생산 개시했다고 밝혔다. 크기, 효율성 측면에서 획기적 진전이라는 설명있다.

제조 공정의 미세화는 더 큰 용량과 절전성, 낮은 생산단가로 연결된다. 삼성전자는 이번 DDR3 메모리로 인해 가격 인하와 함께 "유의미한 절전 효과도 창출할 것"이라고 밝혔다.

회사 대변인은 컴퓨터월드에 보내온 이메일 답신에서 "고객사(기기 제조사)를 구체적으로 언급할 수는 없지만, 이들은 앞으로 중대한 TCO 절감 효과를 거둘 수 것이라고 믿는다"라고 밝혔다.

20nm 공정의 이번 DDR3 메모리는 현재 일부 기기 제조사에 공급되고 있으며, 이를 탑재한 제품은 연말께 등장할 전망이다.

삼성전자의 디램 공정 미세화는 2009년 50nm, 2010년 30nm, 2011년 25nm 등 순으로 발전해왔다.

한편 디램은 낸드 플래시에 비해 공정을 미세화하기 좀더 까다로운 특성을 보인다. 각각의 셀은 하나의 커패시터와 트랜지스터로 구성돼 있다. 반면 낸드 플래시 메모리는 각각의 셀이 하나의 트랜지스터만을 보유하고 있다. 디램 공정 미세화는 트랜지스터와 커패시터가 모두 축소되는 것을 요구하는 것이다.

삼성 측은 회사의 디램 디자인 및 제조 기술을 재정의해 "modified double patterning and atomic layer deposition" 기술을 달성했다고 설명했다. 이어 차세대 10nm 디램 생산을 위한 핵심 기술을 구축한 의미를 지닌다고 덧붙였다.

회사는 또 이번 20nm 공정 기술이 기존 25nm 공정 기술에 비해서는 30% 이상, 30nm 공정과 비교할 때는 두 배 이상 높은 생산효율성을 구현한다고 밝혔다.